AO3400 HXY MOSFET

Symbol Micros: TAO3400 HXY
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 55mOhm; 5,8A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: AO3400 Alpha&Omega Semiconductor AOS;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 55mOhm
Maksymalny prąd drenu: 5,8A
Maksymalna tracona moc: 1,4W
Obudowa: SOT23
Producent: HXY MOSFET
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: HXY MOSFET Symbol producenta: AO3400-HXY RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
800 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,9240 0,4390 0,2470 0,1870 0,1680
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Rezystancja otwartego kanału: 55mOhm
Maksymalny prąd drenu: 5,8A
Maksymalna tracona moc: 1,4W
Obudowa: SOT23
Producent: HXY MOSFET
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 12V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD