Tranzystory bipolarne (wyszukane: 1170)
Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Współczynnik wzmocnienia prądowego
|
Moc strat
|
Maksymalne napięcie kolektor-emiter
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Obudowa
|
Producent
|
Temperatura pracy (zakres)
|
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SS8550
Transistor PNP; Bipolar; 350mW; -25V; 1500mA; 120MHz; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
1152 szt. |
|||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1152 Ilość (wielokrotność 10) |
PNP | 350mW | -25V | 1,5A | SOT23 | HOTTECH | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
Stan magazynowy:
901 szt. |
|||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 901 Ilość (wielokrotność 10) |
PNP | 350mW | -25V | 1,5A | SOT23 | HOTTECH | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
Stan magazynowy:
599 szt. |
|||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 599 Ilość (wielokrotność 10) |
PNP | 350mW | -25V | 1,5A | SOT23 | HOTTECH | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
Stan magazynowy:
6000 szt. |
|||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
PNP | 350mW | -25V | 1,5A | SOT23 | HOTTECH | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
FDV303N China
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; -/+12V; 80mOhm; 2A; 2,1W; -55°C~150°C;
|
|||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
75 szt. |
|||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 75 Ilość (wielokrotność 1) |
MOSFET | 2,1W | 20V | 2A | SOT23 | VBsemi | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
BD13716STU
Tranzystor NPN; 250; 1,25W; 60V; 1,5A; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: BD13716STU RoHS Obudowa dokładna: TO126 |
Stan magazynowy:
20 szt. |
||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 250 | 1,25W | 60V | 1,5A | TO126 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: BD13716STU RoHS Obudowa dokładna: TO126 |
Stan magazynowy:
180 szt. |
||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 60/180 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 250 | 1,25W | 60V | 1,5A | TO126 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||
BSS64 NXP
Tranzystor NPN; 80; 250mW; 80V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS64,215;
|
|||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
1620 szt. |
|||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 80 | 250mW | 80V | 100mA | SOT23 | NXP | -65°C ~ 150°C | ||||||||||||
DDC144EU-7
Tranzystor 2xNPN; 600; 200mW; 50V; 30mA; 250MHz; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
500 szt. |
|||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
2xNPN | 600 | 200mW | 50V | 30mA | SOT363 | DIODES | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||
DDTC144ECA-7-F Diodes
Tranzystor NPN; 68; 200mW; 50V; 100mA; 250MHz; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
NPN | 68 | 200mW | 50V | 100mA | SOT23-3 | DIODES | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||
DDTC143ZUA-7-F Diodes
Tranzystor NPN; 80; 200mW; 50V; 100mA; 250MHz; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 80 | 200mW | 50V | 100mA | SOT323 | DIODES | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||
DDTC143XE-7-F Diodes
Tranzystor NPN; 30; 150mW; 50V; 100mA; 250MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: DDTC143XE; DDTC143XE-7-F;
|
|||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
NPN | 30 | 150mW | 50V | 100mA | SOT523 | DIODES | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||
DDTC143EUA-7-F Diodes
Tranzystor NPN; 20; 200mW; 50V; 100mA; 250MHz; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
1000 szt. |
|||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 10) |
NPN | 20 | 200mW | 50V | 100mA | SOT323 | DIODES | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||
DDTC143ECA-7-F Diodes
Tranzystor NPN; 20; 200mW; 50V; 100mA; 250MHz; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 20 | 200mW | 50V | 100mA | SOT23-3 | DIODES | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||
DDTC123JCA-7-F Diodes
Tranzystor NPN; 80; 200mW; 50V; 100mA; 250MHz; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
2998 szt. |
|||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
NPN | 80 | 200mW | 50V | 100mA | SOT23-3 | DIODES | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||
DDTC115EE-7-F Diodes
Tranzystor NPN; 82; 150mW; 50V; 20mA; 250MHz; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 82 | 150mW | 50V | 20mA | SOT523 | DIODES | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||
DMC564040R Panasonic
Tranzystor 2xNPN; 80; 150mW; 50V; 100mA; -40°C ~ 85°C;
|
|||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
20 szt. |
|||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 120 Ilość (wielokrotność 1) |
2xNPN | 80 | 150mW | 50V | 100mA | SMD-6 | PANASONIC | -40°C ~ 85°C | ||||||||||||
DMMT5401-7-F
Tranzystor 2xPNP; 240; 300mW; 150V; 200mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 250 Ilość (wielokrotność 1) |
2xPNP | 240 | 300mW | 150V | 200mA | SOT26 | DIODES | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||
PBSS4021PT
Tranzystor PNP; 400; 1,1W; 20V; 3,5A; 155MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: PBSS4021PT,215;
|
|||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Ilość (wielokrotność 1) |
PNP | 400 | 1,1W | 20V | 3,5A | SOT23-3 | NXP | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||
SMBTA56E6327 Infineon
Tranzystor PNP; 100; 330mW; 80V; 500mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: SMBTA56E6327HTSA1;
|
|||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
2390 szt. |
|||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
PNP | 100 | 330mW | 80V | 500mA | SOT23 | Infineon Technologies | -65°C ~ 150°C | ||||||||||||
SMBTA42
Tranzystor NPN; 40; 360mW; 300V; 500mA; 70MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: SMBTA42E6327HTSA1; SMBTA42E6327;
|
|||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
2060 szt. |
|||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 40 | 360mW | 300V | 500mA | SOT23 | Infineon Technologies | -65°C ~ 150°C | ||||||||||||
SMBTA14E6327 Infineon
Tranzystor NPN; 20000; 330mW; 30V; 300mA; 125MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: SMBTA14E6327HTSA1;
|
|||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 20000 | 330mW | 30V | 300mA | SOT23 | Infineon Technologies | -65°C ~ 150°C | ||||||||||||
SMBTA06UPNE6327 Infineon
Tranzystor NPN/PNP; 100; 330mW; 80V; 500mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: SMBTA06UPNE6327HTSA1;
|
|||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN/PNP | 100 | 330mW | 80V | 500mA | SC-74 | Infineon Technologies | -65°C ~ 150°C | ||||||||||||
SS8050CBU (luzem)
Tranzystor NPN; 160; 1W; 25V; 1,5A; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: SS8050CBU bulk; SS8050CTA (Tape); SS8050BBU;
|
|||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
179 szt. |
|||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 160 | 1W | 25V | 1,5A | TO92 | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
Stan magazynowy:
500 szt. |
|||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 160 | 1W | 25V | 1,5A | TO92 | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
SS8550DBU
Tranzystor PNP; 300; 1W; 25V; 1,5A; 200MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: SS8550DTA;
|
|||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: SS8550DBU RoHS Obudowa dokładna: TO92bul |
Stan magazynowy:
400 szt. |
||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
PNP | 300 | 1W | 25V | 1,5A | TO92 | ON SEMICONDUCTOR | -65°C ~ 150°C | ||||||||||||
STP03D200
Tranzystor NPN; 230; 40W; 1200V; 100mA; -65°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
10 szt. |
|||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 230 | 40W | 1200V | 100mA | TO220 | STMicroelectronics | -65°C ~ 150°C | ||||||||||||
BD241C
Tranzystor NPN; 25; 40W; 100V; 3A; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: TIP31C;
|
|||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
280 szt. |
|||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/300 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 25 | 40W | 100V | 3A | TO220 | STMicroelectronics | -65°C ~ 150°C | ||||||||||||
SS8050CTA
Tranzystor NPN; 300; 1W; 25V; 1,5A; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: SS8050CBU (BULK); SS8050CTA (TAPE); TCD8050C;
|
|||||||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
NPN | 300 | 1W | 25V | 1,5A | TO92ammoformed | ON SEMICONDUCTOR | -65°C ~ 150°C | ||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2024-07-30
Ilość szt.: 2000
|
||||||||||||||||||||
2N5886
Tranzystor NPN; 100; 200W; 80V; 25A; 4MHz; -65°C ~ 200°C; [Attention: Vcesat 1,4V]
|
|||||||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
NPN | 100 | 200W | 80V | 25A | TO 3 | Inchange Semiconductors | -65°C ~ 200°C | ||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2024-07-30
Ilość szt.: 100
|
||||||||||||||||||||
BC847PN-7-F
Tranzystor NPN/PNP; 450/475; 200mW; 45V; 100mA; 300/200MHz; -65°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
2000 szt. |
|||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN/PNP | 475 | 200mW | 45V | 100mA | SOT363 | DIODES | -65°C ~ 150°C | ||||||||||||
BC817-40Q YANGJIE TECHNOLOGY
Tranzystor: NPN
|
|||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
NPN | 300mW | 45V | 500mA | SOT23 | YY | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
BC847B HOTTECH
Tranzystor NPN; 450; 200mW; 45V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Podobny do: BC847B-DIO;
|
|||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
2000 szt. |
|||||||||||||||||||||
|
Towar dostępny
Sposób pakowania: do wyczerpania zapasów 3000/21000 Ilość (wielokrotność 10) |
NPN | 450 | 200mW | 45V | 100mA | SOT23 | HOTTECH | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||
MMDT5401-7-F
Transistor PNP; Bipolar; 240; 6V; 320mW; 150V; 200mA; 300MHz; -55°C~150°C;
|
|||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
PNP | 240 | 320mW | 150V | 200mA | SOT363 | DIODES | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||
MMDT5551-7-F
Tranzystor Dual NPN; Bipolar; 160V; 6V; 250; 300MHz; 200mA; 200mW; -55°C~150°C;
|
|||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
2xNPN | 250 | 200mW | 160V | 200mA | SOT363 | DIODES | -55°C ~ 150°C |
Tranzystory bipolarne
Wynalezione w połowie XX wieku tranzystory odegrały istotną rolę w kształtowaniu współczesnej elektroniki. Dzięki nim jest obecnie możliwe korzystanie ze zminiaturyzowanych urządzeń technologii użytkowej. Z tego względu tranzystory bipolarne są uważane za jedne z najbardziej rozpowszechnionych podzespołów, bez których niemożliwe by było tworzenie nowoczesnych projektów układów scalonych.
Tranzystor bipolarny – symbol
Tranzystory bipolarne to elektroniczne elementy półprzewodnikowe wykorzystywane do sterowania przepływem prądu i wzmacniania sygnału. Są zbudowane z trzech warstw, które składają się z emitera, bazy i kolektora połączonych krzemową płytką. W zależności od sposobu przewodnictwa wyróżnia się tranzystory pnp i npn. Charakteryzują się one podobnym schematem działania, a różnice wynikają z kierunku sterowania oraz sposobu spolaryzowania względem emitera. Jeżeli chodzi o tranzystor bipolarny, symbol z zaznaczonym kierunkiem strzałki sugeruje, z jakim rodzajem podzespołu masz do czynienia.
Działanie tranzystorów bipolarnych
W urządzeniach elektronicznych wykorzystuje się bipolarne tranzystory w celu kontroli natężenia przepływającego sygnału elektrycznego. Znajdują one zastosowanie w różnego rodzaju układach elektronicznych takich jak np. wzmacniacze, modulatory sygnału, stabilizatory czy generatory impulsów. Działanie tranzystora bipolarnego polega na bezpiecznym przekształcaniu prądu o małym natężeniu w sygnały elektryczne o większej mocy tak, aby nie dopuścić do przeciążenia całego układu.
Katalog tranzystorów bipolarnych
W naszej ofercie znajdziesz tranzystory bipolarne od najlepszych producentów. W sprzedaży mamy tylko produkty najwyższej jakości, które cechują się niezawodnością i wytrzymałością. Katalog tranzystorów bipolarnych obejmuje podzespoły, różniące się od siebie:
- współczynnikiem wzmocnienia prądowego,
- mocą strat,
- maksymalnym napięciem na linii kolektor-emiter,
- maksymalnym prądem kolektora,
- typem obudowy,
- zakresem temperatury pracy.
Kierując się poszczególnymi parametrami, możesz precyzyjnie dobrać tranzystor bipolarny do konkretnego przeznaczenia.
Zapraszamy do współpracy!